Skip to content

Магнитотранзисторы: физика, моделирование, применение

Магнитотранзисторы: физика, моделирование, применение

Обзор предоставленной книги Магнитотранзисторы: физика, моделирование, применение. Установлена зависимость их электрофизических параметров от конструкционно-технологических факторов и электрического режима. Рассмотрены вопросы разработки радиоэлектронных устройств различного функционального назначения на основе магнитотранзисторов. Исследованы созданные на основе транзисторных структур магниточувствительные элементы функциональной электроники, обладающие, за счет сочетания базового эффекта перераспределения концентрации инжектированных носителей под действием магнитного поля с другими электронными эффектами, рядом специальных свойств (пороговая и переключательная реакции на магнитное поле, положительный температурный коэффициент магниточувствительности и пр.). Определены основные механизмы чувствительности и построены физические и математические модели таких структур. В работе изучены влияние магнитного поля на основные физические процессы, протекающие в транзисторных структурах (инжекция, перенос и экстракция неосновных носителей), и возможности создания на базе таких структур преобразователей магнитного поля с различными свойствами. Информацию Магнитотранзисторы: физика, моделирование, применение предоставил: aygerimchernyshyova1993.

Мария Викторовна Самарцева Право интеллектуальной собственности. Учебник для академического бакалавриата

Далее

Олег Шовкуненко И настанет день третий

Далее

Бондаренко Т. Физкультурно-оздоровительная работа с детьми 4-5 лет в ДОУ

Далее

Мадемуазель Фифи

Далее

М. Э. Парецкая Современный учебник русского языка для иностранцев (+ мультимедийные материалы)

Далее

1 комментариев

Add a Comment

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *